CVD系统

发布时间:2024-11-17浏览次数:169

CVD系统

设备参数

最高生长温度:1050 ℃

气体和液体两种碳源供给方式

可控低压生长和常压生长

氩气、氮气、氢气和二氧化碳四种载气

完整气路系统,MFC精准控制气体流量

负责人:陈雨、谢凡